美国家技术标准研究院(NIST)近日公布消息声称,该机构研究人员利用两种新技术,首次以纳米级精度检测了普遍用于的太阳能电池的化学成分及缺失的变化。新技术检测了用碲化镉半导体材料生产的少见太阳能电池,未来将会协助科学家更佳地理解太阳能电池的微观结构,并有可能明确提出进一步提高太阳能光电转化成效率的方法。
在研究中,NIST科学家利用两种倚赖原子力显微镜(AFM)的辅助方法,通过光诱导共振(PTIR)来测量太阳能电池样品从红外线到中红外线的长波长范围吸取光的数量,从而在纳米级尺度获得太阳能电池的包含及其缺失。另一项技术,被称作扫瞄将近场光学显微镜(dt-NSOM),通过记录特定方位传输光的数量来捕猎太阳能电池的构成及缺失的变化,从而构成详尽的纳米尺度图像。实验指出,材料晶体排序的缺失与其化学包含中的杂质涉及,新技术能检测碲化镉样品中所谓的深层次缺失的空间变化。
这些缺失引发碲化镉与其它半导体中的电子和质子(带上正电荷的颗粒)重新组合而不是发电,这是造成太阳能电池无法获得理论效益的关键原因之一。该研究成果具备普遍适用性,将有助太阳能电池研究,更佳地理解各种光伏材料。
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